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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT6427
MMBT6427 PDF预览

MMBT6427

更新时间： 2024-02-01 11:14:02
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

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MMBT6427 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：20000最高工作温度：85 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES

MMBT6427 数据手册

 浏览型号MMBT6427的Datasheet PDF文件第2页 
MMBT6427  
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR  
Features  
SOT-23  
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideal for Medium Power Amplification and  
Switching  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
C
·
High Current Gain  
B
B
C
C
Mechanical Data  
TOP VIEW  
B
E
D
D
G
·
·
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 2): K1D  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
E
E
H
G
H
K
M
·
·
J
J
L
K
C
·
·
·
·
L
M
a
E
B
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
MMBT6427  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
40  
40  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
12  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
500  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
300  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC = 100mA, IE = 0  
40  
40  
12  
¾
¾
¾
¾
¾
V
V
IC = 100mA, IB = 0  
IE = 10mA, IC = 0  
VCB = 30V, IE = 0  
VCE = 25V, IB = 0  
VEB = 10V, IC = 0  
¾
V
50  
1.0  
50  
nA  
mA  
nA  
ICEO  
Collector Cutoff Current  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
IC  
= 10mA, VCE = 5.0V  
10,000  
20,000  
14,000  
100,000  
200,000  
140,000  
IC = 100mA, VCE = 5.0V  
IC = 500mA, VCE = 5.0V  
hFE  
DC Current Gain  
¾
IC = 50mA, IB = 0.5mA  
IC = 500mA, IB = 0.5mA  
1.2  
1.5  
VCE(SAT)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
¾
V
IC = 500mA, IB = 0.5mA  
IC = 50mA, VCE =5.0V  
VBE(SAT)  
VBE(ON)  
Base- Emitter Saturation Voltage  
Base- Emitter On Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
¾
¾
2.0  
V
V
1.75  
VCB = 10V, f = 1.0MHz, IE = 0  
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0  
Cobo  
Cibo  
8.0 Typical  
15 Typical  
pF  
pF  
Input Capacitance  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30048 Rev. 3 - 2  
1 of 2  
MMBT6427  
www.diodes.com  
12

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MMBT6427 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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