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MMBT4403T/R13

更新时间： 2024-11-17 03:30:07

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强茂 - PANJIT		晶体开关晶体管光电二极管通用开关
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4页	239K
描述
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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MMBT4403T/R13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

MMBT4403T/R13 数据手册

MMBT4403

PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

VOLTAGE

40V

POWER 225mW

FEATURES

PNP epitaxial silicon, planar design

Collector-emitter voltage V_CE= -40V

Collector current I_C=-600mA

Complimentary (NPN) device: MMBT4401

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx Weight: 0.02 grams

Marking: M3A

Top View

COLLECTOR

Collector

BASE

EMITTER

Base

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Collector - Emitter Voltage

SYMBOL

V_CE0

VALUE

-40

UNIT

Collector - Base Voltage

V_CB0

-40

Emitter – Base Voltage

V_EB0

-5.0

Collector Current - Continuous

Max Power Dissipation (Note 1)

Junction and Storage Temperature Range

I_C

-600

℃

P_TOT

225

T_J, T_STG

-55 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

θJ A

℃/W

Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)

556

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in. using minimum recommended pad.

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