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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD4448W-7
MMBD4448W-7 PDF预览

MMBD4448W-7

更新时间： 2024-01-25 06:57:38
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 60K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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MMBD4448W-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：1.58
其他特性：FAST SWITCHING配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.72 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBD4448W-7 数据手册

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MMBD4448W  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
A
SOT-323  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
C
B
Mechanical Data  
E
B
G
H
·
·
Case: SOT-323, Molded Plastic  
Case Material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking: KA3 (See Page 3)  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
0.65 Nominal  
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
K
J
M
G
H
J
·
·
L
D
F
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
·
·
·
M
a
TOP VIEW  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
¾
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 10mA  
75  
¾
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
Reverse Current (Note 2)  
V
¾
1.25  
V
V
R = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
R = 75V, Tj = 150°C  
IR  
¾
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30095 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
MMBD4448W  
www.diodes.com  
123

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