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MMBD1505S62Z

更新时间： 2024-11-30 15:43:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon

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MMBD1505S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.64
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MMBD1505S62Z 数据手册

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MMBD1501/A / 1503/A / 1504/A / 1505/A  
Connection Diagrams  
3
3
3
1503  
1501  
3
11  
1
2
1
1
1
2
2NC  
2
3
3
1504  
1505  
MARKING  
1
MMBD1501 11  
MMBD1503 13  
MMBD1504 14  
MMBD1505 15  
MMBD1501A A11  
MMBD1503A A13  
MMBD1504A A14  
MMBD1505A A15  
SOT-23  
1
2
2
Small Signal Diodes  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
200  
200  
V
Average Rectified Forward Current  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min  
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
VR  
VF  
Breakdown Voltage  
V
200  
I = 5.0  
µ
A
R
Forward Voltage  
IF = 1.0 mA  
IF = 10 mA  
IF = 50 mA  
IF = 100 mA  
IF = 200 mA  
IF = 300 mA  
VR = 125 V  
620  
720  
800  
830  
0.87  
0.90  
720  
830  
890  
930  
1.1  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
V
nA  
1.15  
IR  
Reverse Current  
Total Capacitance  
1.0  
3.0  
10  
5.0  
4.0  
V = 125 V, T = 150 C  
A
µ
°
R
A
VR = 180 V  
VR = 180 V, TA = 150°C  
nA  
µA  
PF  
CT  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
MMBD1500 series, Rev. B2  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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