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MMBD1703

更新时间： 2024-09-30 20:23:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Rectifier Diode

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MMBD1703 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.35 W
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.0007 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MMBD1703 数据手册

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MMBD1701/A / 1703/A / 1704/A / 1705/A  
Connection Diagrams  
3
3
3
1703  
1701  
3
85  
1
2
1
2NC  
1
1
2
2
3
3
1704  
1705  
MARKING  
MMBD1701A 85A  
1
MMBD1701 85  
MMBD1703 87  
MMBD1704 88  
MMBD1705 89  
MMBD1703A 87A  
MMBD1704A 88A  
MMBD1705A 89A  
1
2
2
SOT-23  
Small Signal Diodes  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
30  
50  
V
Average Rectified Forward Current  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
250  
mA  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
C
Tstg  
TJ  
°
Operating Junction Temperature  
150  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
VR  
VF  
Breakdown Voltage  
V
30  
IR = 5.0  
µ
A
Forward Voltage  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
IF = 10 µA  
IF = 100 µA  
IF = 1.0 mA  
IF = 10 mA  
IF = 20 mA  
IF = 50 mA  
420  
520  
640  
760  
810  
0.89  
500  
610  
740  
880  
950  
1.1  
IR  
Reverse Current  
nA  
pF  
V
R = 20 V  
50  
CT  
trr  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
1.0  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
RL = 100 Ω  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
0.7  
1.0  
ns  
ns  
MMBD1701-1705  
MMBD1701A-1705A  
RL = 100 Ω  
MMBD1700 series, Rev. B1  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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