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MMBD1703AL99Z

更新时间: 2024-01-17 10:00:27
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
0.05A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1703AL99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最大输出电流:0.05 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向恢复时间:0.001 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MMBD1703AL99Z 数据手册

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