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MMBD1704 PDF预览

MMBD1704

更新时间： 2024-01-22 18:48:18
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
High Conductance Low Leakage Diode

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MMBD1704 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：0.25 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
最大反向电流：0.05 µA最大反向恢复时间：0.001 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MMBD1704 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MMBD1701/A / 1703/A / 1704/A / 1705/A  
3
CONNECTION DIAGRAMS  
3
3
1703  
1701  
85  
3
1
2
2 NC  
1
1
2
3
3
1704  
1705  
2
MARKING  
MMBD1701 85  
MMBD1703 87  
MMBD1704 88  
MMBD1705 89  
MMBD1701A 85A  
MMBD1703A 87A  
MMBD1704A 88A  
MMBD1705A 89A  
SOT-23  
1
1
2
1
2
High Conductance Low Leakage Diode  
Sourced from Process 1T.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
WIV  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
20  
50  
V
IO  
mA  
mA  
mA  
IF  
150  
150  
Recurrent Peak Forward Current  
if  
Peak Forward Surge Current  
Pulse width = 1.0 second  
Storage Temperature Range  
if(surge)  
250  
-55 to +150  
mA  
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MMBD1701/A /1703/A-1705/A*  
PD  
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on glass epoxy PCB 1.6" X 1.6" X 0.06"; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2  
MMBD1700 Rev. B  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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