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MMBD1703A

更新时间： 2024-02-20 23:02:10

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TYSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
Absolute Maximum Ratings Ta = 25

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MMBD1703A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	0.25 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
最大反向电流：	0.05 µA	最大反向恢复时间：	0.001 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD1703A 数据手册

Product specification

MMBD1701/A,MMBD1703/A

MMBD1704/A,MMBD1705/A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Working lnverse voltage

Symbol

Value

Unit

W^IV

I^O

Average rectified current

DC forward current

I^F

150

recurrent peak forward current

Peak forward surge current pulse width = 1.0 second

Storage temperature range

Operating junction temperature

Total device dissipation

i^f

150

i^f

250

T^stg

T^J

-55 to + 150

150

350

P^D

2.8

Derate above 25

mW/

Thermal resistance, Junction to ambient

MMBD1701/A /1703/A-1705/A*

357

* Device mounted on glass epoxy 1.6"

1.6"

0.06", mounting pad for collector lead min. 0.93in2.

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1703AD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon
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MMBD1703AS62Z	TI	获取价格	0.05A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1703AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon
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