MMBD1505-TP-HF

更新时间： 2024-11-30 13:11:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	147K
描述
Rectifier Diode,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBD1505-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.35 W
最大重复峰值反向电压：	180 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MMBD1505-TP-HF 数据手册

MMBD1501(A)

THRU

MMBD1505(A)

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

High Conductance

Low Leakage Diode

350mW

Low Leakage

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

High Conductance

Mechanical Data

l Case: SOT-23, Molded Plastic

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: See Diagram

SOT-23

l Weight: 0.008 grams ( approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Working Inverse Voltage

DC Forward Current

Symbol

V_IV

Value

180

Unit

I^F

i_f

600

Average Rectified Current

Recurrent Peak Forward Current

200

700

1.0

2.0

DIMENSIONS

Peak Forward Surge Current @

t=1.0s

@t=1.0ms

i_f(surge)

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

Power Dissipation

350

357

^oC/W

^oC

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Thermal Resistance

Operation & Storage Temp. Range

Tj, T^STG

-55 to +150

Note: 1) These ratings are based on a max. junction temperature of 150 degrees C

2) These are steady state limits. T he factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operation

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Charateristic

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

Breakdown Voltage

200

IR=5.0uA

I^F=1.0mA

I_F=10mA

I^F=50mA

I^F=100mA

I^F=200mA

I_F=300mA

.031

.800

620

720

800

750 mV

850 mV

950 mV

.035

.900

Forward Voltage Drop

0.83 1.1

.079

2.000

inches

0.87

0.9

1.3

1.5

V_R=125V

1.0

3.0

VR=125V TA=150^oC

I_R

Reverse Current

-----

.037

.950

V^R=180V

V_{R=180V TA=150 C}

.037

.950

5.0

Junction Capacitance

VR=0V, f=1.0MHz

www.mccsemi.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与MMBD1505-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1701	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1701	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD1701	ONSEMI	获取价格	Rectifier Diode
MMBD1701A	ONSEMI	获取价格	Rectifier Diode
MMBD1701A	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1701A	KEXIN	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1701AD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon
MMBD1701AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon
MMBD1701AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon
MMBD1701D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 30V V(RRM), Silicon

与MMBD1505-TP-HF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBD1505-TP-HF

MMBD1505-TP-HF 技术参数

MMBD1505-TP-HF 数据手册

与MMBD1505-TP-HF相关器件

与MMBD1505-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBD1505-TP-HF

MMBD1505-TP-HF 技术参数

MMBD1505-TP-HF 数据手册

与MMBD1505-TP-HF相关器件

与MMBD1505-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？