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MMBD1205L99Z

更新时间: 2024-01-09 13:49:30
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1205L99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.71
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MMBD1205L99Z 数据手册

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