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MMBD1204A

更新时间： 2024-10-28 19:47:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 257K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

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MMBD1204A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
其他特性：ULTRA FAST配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MMBD1204A 数据手册

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MMBD1201 / 1203 / 1204 / 1205  
CONNECTION DIAGRAMS  
3
3
3
1201  
1203  
3
24  
2 NC  
1
1
2
3
3
1
2
1204  
1205  
2
2
MARKING  
SOT-23  
1
MMBD1201 24  
MMBD1203 26  
MMBD1204A 27  
MMBD1205A 28  
1
1
2
High Conductance Ultra Fast Diode  
Sourced from Process 1P.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
WIV  
IF(AV)  
IFM  
IFRM  
IFSM  
Parameter  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
Value  
50  
200  
600  
700  
Units  
V
mA  
mA  
mA  
Recurrent Peak Forward Current  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
-55 to +150  
150  
A
A
°C  
°C  
Pulse width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
MMBD1201/1203/1204/1205*  
PD  
Total Device Dissipation  
350  
mW  
mW/°C  
°C/W  
2.8  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
RθJA  
*Device mounted on glass epoxy PCB 1.6" X 1.6" X 0.06"; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2  
MMBD1200 series, Rev. A1  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD1204D87Z FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon
MMBD1204L99Z FAIRCHILD

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MMBD1204S62Z TI

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MMBD1205 GOOD-ARK

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MMBD1205 FAIRCHILD

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 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 1.0 A;Forward V
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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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