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MMBD1203 PDF预览

MMBD1203

更新时间： 2024-10-27 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
High Conductance Ultra Fast Diode

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MMBD1203 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.48
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD1203 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MMBD1201 / 1203 / 1204 / 1205  
CONNECTION DIAGRAMS  
3
3
3
1201  
1203  
3
24  
2 NC  
1
1
2
3
3
1
2
1204  
1205  
2
2
MARKING  
SOT-23  
1
MMBD1201 24  
MMBD1203 26  
MMBD1204A 27  
MMBD1205A 28  
1
1
2
High Conductance Ultra Fast Diode  
Sourced from Process 1P.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
WIV  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
50  
V
IO  
200  
600  
700  
mA  
mA  
mA  
IF  
Recurrent Peak Forward Current  
if  
Peak Forward Surge Current  
Pulse width = 1.0 second  
if(surge)  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MMBD1201/1203/1204/1205*  
PD  
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on glass epoxy PCB 1.6" X 1.6" X 0.06"; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2  
ã 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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MMBD1203 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD1203 ONSEMI

类似代替

 高电导超高速二极管
MMBD7000LT1G ONSEMI

功能相似

 Dual Switching Diode

与MMBD1203相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD1203_NL FAIRCHILD

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MMBD1203D87Z FAIRCHILD

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