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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE13005
MJE13005 PDF预览

MJE13005

更新时间： 2024-09-23 11:57:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR JEDEC TO-220 CASE

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MJE13005 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.61Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：310200
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-220_-
Samacsys Released Date：2019-10-02 11:43:54Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

MJE13005 数据手册

 浏览型号MJE13005的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
MJE13005  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
JEDEC TO-220 CASE  
DESCRIPTION  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE13005 is a Silicon NPN Power Transistor, designed for high speed power  
switching applications.  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
Peak Base Current  
Emitter Current  
Peak Emitter Current  
V
V
V
400  
700  
9.0  
4.0  
8.0  
2.0  
4.0  
6.0  
12  
CEO  
CEV  
EBO  
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
I
I
I
I
I
I
C
CM  
B
BM  
E
EM  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
P
2.0  
75  
A
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
°C/W  
J stg  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Θ
1.67  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
400  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=700V V  
=700V V =1.5V, T =100°C  
=9.0V  
=1.5V  
, BE(OFF)  
1.0  
5.0  
1.0  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V
V
CEV  
CEV  
EBO  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
CE  
CE  
EB  
, BE(OFF)  
C
BV  
I =10mA  
C
V
V
V
V
V
h
h
I =1.0A, I =0.2A  
0.5  
0.6  
1.0  
1.2  
1.6  
60  
C
B
B
B
B
I =2.0A, I =0.5A  
C
I =4.0A, I =1.0A  
C
I =1.0A, I =0.2A  
C
I =2.0A, I =0.5A  
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
10  
8.0  
CE  
CE  
C
V
=5.0V, I =2.0A  
40  
FE  
C
(Continued)  
R1  
12

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MJE13005 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE13005G ONSEMI

类似代替

 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

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 		TO-220AB PACKAGE
MJE13005_08 KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
MJE13005_12 UTC

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MJE13005_15 UTC

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 		NPN SILICON POWER TRANSISTOR
MJE1300516 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
MJE13005-6203 RENESAS

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 		4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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