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MJE13005-B

更新时间： 2024-11-11 20:00:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 229K
描述
Transistor

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MJE13005-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

MJE13005-B 数据手册

 浏览型号MJE13005-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE13005-B的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MJE13005  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
Capable of 1.5Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 4.0A  
Collector-base Voltage 700V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
Marking: 3DD13005  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
TO-220  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
B
L
M
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
400  
700  
9.0  
Vdc  
Vdc  
C
(I =10mAdc, IB=0)  
C
D
Collector-Base Breakdown Voltage  
A
(I =1000uAdc, IE=0)  
K
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Vdc  
E
F
PIN  
(I =1000uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=700Vdc, IE=0)  
1000  
100  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
CBO  
I
Collector Cutoff Current  
(VCE=400Vdc,IB=0)  
CEO  
G
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=9.0Vdc, IC=0)  
1000  
I
J
1
2
3
ON CHARACTERISTICS  
N
H
H
hFE  
DC Current Gain  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
(I =1000mAdc, VCE=5.0Vdc  
10  
40  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =2000mAdc, IB=500mAdc)  
0.6  
1.6  
Vdc  
Vdc  
C
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =2000mAdc, IB=500mAdc)  
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
ꢁꢂꢃꢉꢄꢊꢂꢇꢄꢊ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
fT  
Trans istor Frequency  
INCHES  
MM  
(I =500mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0MHz)  
5.0  
MHz  
uS  
uS  
C
ꢁꢂꢃ  
A
B
ꢃꢂꢄ  
.560  
.380  
.100  
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
ꢄꢇꢈꢉ  
.625  
.420  
.135  
tF  
tS  
Fall Time  
Storage Time  
VCC=120V,IC=2.0A  
IB1=I =0.4A  
0.9  
4.0  
B2  
C
2.54  
D
E
.230  
.380  
.270  
.420  
5.84  
9.65  
6.86  
10.67  
F
G
------  
.500  
.250  
.580  
------  
12.70  
6.35  
14.73  
H
.090  
.110  
2.29  
2.79  
I
J
.020  
.012  
.045  
.025  
0.51  
0.30  
1.14  
0.64  
K
.139  
.161  
3.53  
4.09  
L
M
.140  
.045  
.190  
.055  
3.56  
1.14  
4.83  
1.40  
N
.080  
.115  
2.03  
2.92  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2007/09/19  
1 of 3  
123

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与MJE13005-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE13005B(TO-220) UTC

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 		Transistor
MJE13005BD ONSEMI

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 		TRANSISTOR 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
MJE13005BU ONSEMI

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 		暂无描述
MJE13005BV ONSEMI

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 		4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
MJE13005C MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
MJE13005C(TO-220) UTC

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 		Transistor
MJE13005D UTC

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MJE13005D KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
MJE13005D(TO-220FP) SISEMIC

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 		耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合RoHS规范
MJE13005D_09 KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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