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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 基于收集器的最大容量： | 100 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 2900 ns | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD6039T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039T4 | ONSEMI |
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Darlington Power Transistors |
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| MJD6039T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Power Transistors |
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| MJD74C | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS20 WATTS |
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| MJD86 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| MJD86R | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| MJD86S | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| MJD86T | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| MJD86U | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| MJD907 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 |
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