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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD112T4
MJD112T4 PDF预览

MJD112T4

更新时间： 2024-11-03 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 309K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

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MJD112T4 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
基于收集器的最大容量：100 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：20 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：25 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

MJD112T4 数据手册

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by MJD112/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages  
in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
2 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series  
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
100 VOLTS  
20 WATTS  
High DC Current Gain — h  
Complementary Pairs Simplifies Designs  
= 2500 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
FE  
C
MAXIMUM RATINGS  
MJD112  
MJD117  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
2
4
Base Current  
I
B
50  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
R
C/W  
C/W  
θJC  
θJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
100  
—
—
20  
20  
2
Vdc  
µAdc  
µAdc  
mAdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
CBO  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
B
I
—
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
inches  
mm  
BE  
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%. (continued)  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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MJD112T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD112TF ONSEMI

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 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MJD112TF ONSEMI

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 		2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD112-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DPAK-3
MJD117 CDIL

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 		COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS
MJD117 STMICROELECTRONICS

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 		2A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD117 KEC

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MJD117 CJ

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 		TO-252-2L

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