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MJD112

更新时间： 2024-11-04 12:46:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 382K
描述
Silicon NPN epitaxial planer Transistors

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MJD112 数据手册

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M C C  
Micro Commercial Components  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
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ꢆ omponents  
TM  
MJD112  
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Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix designates  
Silicon  
NPN epitaxial planer  
Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
·
•
•
·
High DC Current Gain  
Built-in a damper diode at E-C  
Maximum Thermal Resistance: 125oC/W Junction to Ambient  
DPAK  
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Specified  
J
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
100  
100  
5
Unit  
V
V
V
A
H
1
2
3
C
I
O
Collector Current-Continuous  
2
F
E
PC  
TJ  
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
1.0  
150  
W
R
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
M
V
K
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=30mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
100  
---  
---  
Vdc  
G
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=5mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=100Vdc, IE=0)  
Collector emitter cutoff Current  
(VCE=50Vdc, IE=0)  
100  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
20  
20  
2
Vdc  
Vdc  
Q
---  
---  
---  
nAdc  
nAdc  
mAdc  
ICEO  
A
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5Vdc, IC=0)  
L
D
B
PIN 1. BASE  
PIN 2. COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
hFE  
DC Current Gain  
(IC=500mAdc, VCE=3Vdc)  
(IC=2Adc, VCE=3Vdc)  
(IC=4Adc, VCE=3Vdc)  
---  
12000  
---  
500  
1000  
200  
---  
---  
---  
DIMENSIONS  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=8mAdc)  
---  
---  
---  
---  
2
3
Vdc  
Vdc  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
(IC=4Adc, IB=40mAdc)  
Transition frequency  
(VCE=10Vdc, f=1MHz, IC=0.75A)  
---  
---  
25  
fT  
MHz  
VBE  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, VCE=3Vdc )  
Output Capacitance  
---  
---  
---  
---  
2.8  
Vdc  
pF  
0.190  
4.83  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
Cob  
100  
(VCB=10Vdc, f=0.1MHz, IE=0)  
J
K
L
M
O
Q
V
0.114  
0.063  
0.043  
0.000  
2.90  
1.60  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
0.051  
0.012  
1.10  
0.00  
1.30  
0.30  
0.211  
5.35  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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