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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM184,40 | 针数： | 184 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 最长访问时间： | 40 ns |
| 其他特性： | SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 800 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 75497472 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 4MX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM184,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH32R18BUP-458 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 4MX18, 45ns, CMOS, DIMM-184 |
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| MH32S64APFB-6L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144 |
|
| MH32S64APFB-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
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| MH32S64APFB-7L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 |
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| MH32S64APFB-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2147483648-BIT (33554432 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
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| MH32S64APHB-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
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| MH32S64APHB-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
|
| MH32S64APHB-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
2,147,483,648-BIT (33,554,432 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
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| MH32S64PF-6L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 |
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| MH32S64PFJ-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144 |
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