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MH1M09A0AJA-8

更新时间： 2024-11-07 19:45:23

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	393K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30

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MH1M09A0AJA-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIMM	包装说明：	, SIP30,.2
针数：	30	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-T30	JESD-609代码：	e0
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX9
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装等效代码：	SIP30,.2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	17.78 mm
最大待机电流：	0.0025 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH1M09A0J-12	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
MH1M09AN-10L	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS
MH1M09AN-12H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS
MH1M09AN-85H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 1MX9, 85ns, CMOS
MH1M09ANZ-15H	MITSUBISHI	获取价格	SRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS
MH1M09B0AJA-8	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH1M09B0CJ-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30
MH1M09B0CJ-8	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
MH1M09B0DJA-10	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS
MH1M09B0DJA-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS