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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, S-CQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | S-CQMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF1403-61-23 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1403B | MITSUBISHI |
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LOW NOISE GaAs FET |
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| MGF1403B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
LOW NOISE GaAs FET |
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| MGF1403B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MGF1403BV-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MGF1403BX-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MGF1404 | MITSUBISHI |
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Transistor |
|
| MGF1412-11-09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1412-11-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1412B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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