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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 164K |  |
| 描述 | ||
| LOW NOISE GaAs FET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-CQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.24 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF1403B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
LOW NOISE GaAs FET |
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| MGF1403B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGF1403BV-01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGF1403BX-01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGF1404 | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGF1412-11-09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1412-11-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1412B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| MGF1412BV-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| MGF1412BX-01 | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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