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MG300H1US1

更新时间: 2024-11-21 21:19:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网电动机控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 191K
描述
TRANSISTOR 300 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109A4A, 4 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

MG300H1US1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:500 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1000 ns
标称接通时间 (ton):800 nsBase Number Matches:1

MG300H1US1 数据手册

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