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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 300 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 880 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG300N1US1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109A4A, 4 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300N1US41 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1UK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109A1A, 5 PIN, BIP General Purpose P |
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| MG300Q1US11 | TOSHIBA |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| MG300Q1US2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US21 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US41 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q1US42 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US51 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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