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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 300 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 1000 ns | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2000 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG300Q1US2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US21 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US41 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q1US42 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US51 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q2YS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300Q2YS60A | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG300Q2YS60A | MITSUBISHI |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG300Q2YS61 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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