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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 300 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 元件数量： | 2 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG300J2YS40 | TOSHIBA |
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SILICON N CHANNEL 1GBT |
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| MG300J2YS45 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300J2YS50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG300M1UK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109A1A, 5 PIN, BIP General Purpose P |
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| MG300N1US1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109A4A, 4 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300N1US41 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1UK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-109A1A, 5 PIN, BIP General Purpose P |
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| MG300Q1US11 | TOSHIBA |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| MG300Q1US2 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG300Q1US21 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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