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MG300Q2YS50

更新时间： 2024-11-16 22:08:59

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
7页	315K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG300Q2YS50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	400 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	2000 W
最大功率耗散 (Abs)：	2000 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	200 ns	VCEsat-Max：	3.6 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MG300Q2YS60A	MITSUBISHI	获取价格	High Power Switching Applications Motor Control Applications
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MG300Q2YS65H	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS91	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG30-1000-1000	CUI	获取价格	Optical Position Encoder, ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER
MG30-1000-500	CUI	获取价格	Optical Position Encoder, ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER
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MG30-1000-9525	CUI	获取价格	Rotary Position Encoder,