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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 元件数量： | 6 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG15Q6ES42 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES46 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG15Q6ES50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES50A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES51 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES51A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15X0R5B100CT | WALSIN |
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High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B101CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B160CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B201CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
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