5秒后页面跳转
MG15Q6ES46 PDF预览

MG15Q6ES46

更新时间: 2024-11-05 20:42:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG15Q6ES46 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE元件数量:6
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MG15Q6ES46 数据手册

  

与MG15Q6ES46相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MG15Q6ES50 TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG15Q6ES50A TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG15Q6ES51 TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG15Q6ES51A TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG15X0R5B100CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size
MG15X0R5B101CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size
MG15X0R5B160CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size
MG15X0R5B201CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size
MG15X0R5B250CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size
MG15X0R5B251CT WALSIN

获取价格

High capacitance in given case size