5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X17 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 17 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSM15GD120DN2 | INFINEON |
功能相似  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17 |
|
| MG15Q6ES42 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG15Q6ES51 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG15Q6ES51A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG15X0R5B100CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B101CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B160CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B201CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B250CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B251CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B500CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
| MG15X0R5B501CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
