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BSM15GD120DN2 PDF预览

BSM15GD120DN2

更新时间： 2024-11-06 20:20:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17

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BSM15GD120DN2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ECONOPACK-17针数：17
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X17元件数量：6
端子数量：17最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：145 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：470 ns
标称接通时间 (ton)：100 nsVCEsat-Max：3.2 V
Base Number Matches：1

BSM15GD120DN2 数据手册

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BSM 15 GD 120 DN2  
IGBT Power Module  
• Power module  
• 3-phase full-bridge  
• Including fast free-wheel diodes  
• Package with insulated metal base plate  
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
CE  
C
BSM 15 GD 120 DN2  
1200V 25A  
ECONOPACK 2  
ECONOPACK 2K  
C67076-A2504-A67  
C67070-A2504-A67  
BSM 15 GD120DN2E3224 1200V 25A  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
1200  
V
CE  
CGR  
R
= 20 kΩ  
1200  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
A
C
T = 25 °C  
25  
15  
C
T = 80 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
I
p
Cpuls  
T = 25 °C  
50  
30  
C
T = 80 °C  
C
Power dissipation per IGBT  
P
W
tot  
T = 25 °C  
145  
C
Chip temperature  
T
+ 150  
°C  
j
Storage temperature  
T
-55 ... + 150  
stg  
Thermal resistance, chip case  
Diode thermal resistance, chip case  
Insulation test voltage, t = 1min.  
Creepage distance  
R
R
≤ 0.86  
K/W  
thJC  
thJCD  
is  
≤ 1.5  
V
-
2500  
Vac  
mm  
16  
Clearance  
-
11  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
-
F
-
-
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
Mar-27-1996  
1234567...9

中文翻译

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BSM15GD120DN2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MG15Q6ES42 TOSHIBA

功能相似

 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG15Q6ES50A TOSHIBA

功能相似

 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

与BSM15GD120DN2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSM15GD120DN2E3224 EUPEC

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 		IGBT Power Module
BSM15GD60DN2 INFINEON

获取价格

 		IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM15GP120 EUPEC

获取价格

 		IGBT-Modules
BSM15GP60 INFINEON

获取价格

 		Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
BSM15GP602 ETC

获取价格

 		IGBT Module
BSM180C12P2E202 ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
BSM180C12P3C202 ROHM

获取价格

 		BSM180C12P3C202是低浪涌、低开关损耗的SiC功率模块。适合电机驱动、转换器、
BSM180D12P2C101 ROHM

获取价格

 		使用罗姆公司生产SiC-DMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块。
BSM180D12P2E002 ROHM

获取价格

 		本品是使用ROHM生产的SiC-DMOSFET和SiC肖特基势垒二极管的斩波结构的SiC
BSM180D12P3C007 ROHM

获取价格

 		使用罗姆公司生产SiC-UMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块。

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