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BSM15GP120

更新时间： 2024-01-12 21:05:14
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EUPEC 双极性晶体管
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11页 202K
描述
IGBT-Modules

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BSM15GP120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：ECONOPIM
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X
元件数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSM15GP120 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
BSM15GP120  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
1600  
40  
V
A
A
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert  
RMS forward current per chip  
IFRMSM  
Dauergleichstrom  
TC = 80°C  
Id  
15  
DC forward current  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
IFSM  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
300  
230  
450  
260  
A
A
A2s  
A2s  
I2t  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
IC,nom.  
IC  
Tc = 80 °C  
15  
35  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC  
=
ICRM  
80 °C  
30  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
Ptot  
180  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 80 °C  
tP = 1 ms  
15  
30  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
125  
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
10  
20  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
100  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 80 °C  
10  
20  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
prepared by: Andreas Schulz  
approved by: Robert Severin  
date of publication:29.03.2001  
revision: 6  
1(11)  
DB-PIM-10 (2).xls  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSM15GP60 INFINEON

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 		Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
BSM15GP602 ETC

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 		IGBT Module
BSM180C12P2E202 ROHM

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 		Power Field-Effect Transistor,
BSM180C12P3C202 ROHM

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 		BSM180C12P3C202是低浪涌、低开关损耗的SiC功率模块。适合电机驱动、转换器、
BSM180D12P2C101 ROHM

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 		使用罗姆公司生产SiC-DMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块。
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BSM181 INFINEON

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 		SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)
BSM181(C) ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D)
BSM181/R INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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