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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSM15GD120DN2 | INFINEON |
功能相似  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG15Q6ES46 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG15Q6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES50A | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES51 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15Q6ES51A | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG15X0R5B100CT | WALSIN |
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High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B101CT | WALSIN |
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High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B160CT | WALSIN |
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High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B201CT | WALSIN |
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High capacitance in given case size |
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| MG15X0R5B250CT | WALSIN |
获取价格 |
High capacitance in given case size |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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