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MG100HF12TFC1

更新时间： 2024-03-03 10:09:54

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C1

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MG100HF12TFC1 数据手册

RoHS

COMPLIANT

MG100HF12TFC1

240

200

160

120

I_C, Module

0.1

0.01

R_GOFF=5.1ohm

V_GE=±15V

=125

℃

ri[K/W] 0.0114 0.0627

τi[s] 0.01 0.02

0.0608 0.0551

0.05 0.1

0.001

0.01

0.1

350

700

V_CE[V]

1050

1400

t [s]

Fig 6. IGBT Transient Thermal Impedance

Fig5. RBSOA

200

175

150

125

100

V_CC=600V

R_G=10ohm

V_GE=±15V

Tv_j=125℃

T_Vj=25℃

T_Vj=125℃

0.5

1.5

V_F[V]

2.5

3.5

75 100 125 150 175 200

I_F[A]

Fig7.Diode Foward Characteristics

Fig8.Diode Switching Loss(Erec) vs.I_F

S-M436

Rev.1.0, 9-Oct-21

www.21yangjie.com

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