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MCM69H618FN12

更新时间: 2024-09-20 15:46:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 554K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 12ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

MCM69H618FN12 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ针数:52
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

MCM69H618FN12 数据手册

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