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MCM69J618FN6

更新时间: 2024-11-08 20:49:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 310K
描述
64KX18 CACHE SRAM, 6ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

MCM69J618FN6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ针数:52
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:6 ns其他特性:OUTPUT REGISTER; SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0长度:19.1262 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:52
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.31 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

MCM69J618FN6 数据手册

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