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MCH3443

更新时间： 2024-02-09 11:18:34
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三洋 - SANYO 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

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MCH3443 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MCH3443 数据手册

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注文コードNo. N 7 5 3 1  
N 7531  
No.  
22004  
新
N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ  
MCH3443  
超高速スイッチング用  
特長 ・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・2.5V 駆動。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流（DC）  
ドレイン電流（パルス）  
許容損失  
V
V
30  
DSS  
GSS  
±12  
V
I
D
1.5  
A
I
DP  
PW ≦10µs,dutycycle≦1％  
セラミック基板(900m m 2 ×0.8m m )装着時  
6
0.8  
A
P
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
30  
typ  
m ax unit  
V
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=30V,V =0  
GS  
1
±10  
1.3  
µA  
µA  
V
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
=±8V,V =0  
DS  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
0.4  
1.3  
GS  
yfs  
=10V,I =800m A  
D
2.2  
165  
210  
130  
22  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =800m A,V =4V  
GS  
215 m Ω  
DS  
DS  
D
(on)2 I =400m A,V =2.5V  
GS  
295 m Ω  
D
入力容量  
出力容量  
帰還容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=10V,f=1M Hz  
=10V,f=1M Hz  
pF  
DS  
DS  
DS  
V
V
pF  
pF  
=10V,f=1M Hz  
16  
次ページへ続く。  
単体品名表示：ZU  
外形図ꢀ2167A  
(unit:m m )  
0.3  
0.15  
3
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
2
1
0.65  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
2.0  
(Bottom view)  
3
1:Gate  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
2:Source  
3:Drain  
1
2
(Top view)  
SANYO :M CPH3  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
No.7531-1/4  
22004TS IM ◎佐藤TA-100400  
1234

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