是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.46 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.5 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.5 µA |
标称共模抑制比: | 110 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 3000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 4.92 mm |
低-偏置: | NO | 低-失调: | NO |
微功率: | NO | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
功率: | NO | 电源: | +-15 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.96 mm | 标称压摆率: | 5 V/us |
子类别: | Operational Amplifiers | 最大压摆率: | 9 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 15000 kHz | 最小电压增益: | 31620 |
宽带: | NO | 宽度: | 3.95 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC4580-S08-T | UTC |
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Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8 | |
MC4580-SM1-R | UTC |
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DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER | |
MC4580-SM1-T | UTC |
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Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8 | |
MC458A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon | |
MC-458AA724F-A10 | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 8MX72, 8ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-458AA724F-A12 | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 8MX72, 9ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-458AB644F-A10 | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-458AB644F-A12 | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-458CA721ESA | ELPIDA |
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8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | |
MC-458CA721ESA | NEC |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM |