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MC-4516CD645FA-A10B

更新时间： 2024-01-16 14:24:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	143K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, MOS, DIMM-168

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MC-4516CD645FA-A10B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4516CD645FA-A10B 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CD645

16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4516CD645 is a 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 16 pieces of

64M SDRAM: µPD4564841 (Rev. E) are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency and clock access time

Family

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Clock access time

Power consumption (MAX.)

(MAX.)

7 ns

Active

Standby

28.8 mW

MC-4516CD645-A10B

CL = 3

CL = 2

100 MHz

4,032 mW

3,744 mW

67 MHz

8 ns

(CMOS level input)

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and full page

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ± 10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. M13318EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published August 1998 NS CP (K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1998

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC-4516CD645LFA-A10B	NEC	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, MOS, DIMM-168
MC-4516CD64ES	NEC	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD64ES	ELPIDA	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD64ES-A10B	ELPIDA	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD64ES-A10B	NEC	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD64ES-A10BL	NEC	获取价格	暂无描述
MC-4516CD64PS	NEC	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD64PS	ELPIDA	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD64PS-A10B	ELPIDA	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD64PS-A10B	NEC	获取价格	16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM

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