是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MODULE | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
针数: | 144 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM144,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC-4516CD642XS | ELPIDA |
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16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | |
MC-4516CD642XS-A75 | ELPIDA |
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16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | |
MC-4516CD642XS-A75L | ELPIDA |
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16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | |
MC-4516CD644F-A10 | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, MOS, DIM-168 | |
MC-4516CD644F-A12 | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, MOS, DIM-168 | |
MC-4516CD645FA-A10B | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-4516CD645LFA-A10B | NEC |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, MOS, DIMM-168 | |
MC-4516CD64ES | NEC |
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16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM | |
MC-4516CD64ES | ELPIDA |
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16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | |
MC-4516CD64ES-A10B | ELPIDA |
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16 M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) |