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MBRS1060RNG

更新时间： 2024-09-17 01:13:19
品牌 Logo 应用领域
TSC 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 385K
描述
Surface Mount Super Fast Rectifiers

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MBRS1060RNG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.14其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：100 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRS1060RNG 数据手册

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SFAS801G thru SFAS808G  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Surface Mount Super Fast Rectifiers  
FEATURES  
- Glass passivated junction chip  
- Ideal for automated placement  
- High efficiency, low VF  
- High surge current capability  
- Low power loss  
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
TO-263AB (D2PAK)  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-263AB (D2PAK)  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
Weight: 1.33 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS  
801G 802G 803G 804G 805G 806G 807G 808G  
PARAMETER  
SYMBOL  
Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
8
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
125  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage  
IF= 8 A  
VF  
0.95  
80  
1.3  
1.7  
10  
400  
35  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=100 ℃  
IR  
μA  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Typical thermal resistance  
Trr  
Cj  
ns  
pF  
OC/W  
OC  
60  
RθJC  
TJ  
2.2  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
OC  
TSTG  
Note 1: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
Document Number: DS_D1405074  
Version: L14  
1234

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