MBRA120ET3G

更新时间： 2023-06-19 14:31:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 测试光电二极管整流二极管
页数	文件大小	规格书
4页	47K
描述
肖特基功率整流器，表面贴装，1.0 A，20 V

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MBRA120ET3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBRA120ET3G 数据手册

MBRA120ET3

Surface Mount

Schottky Power Rectifier

SMA Power Surface Mount Package

. . . employing the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon

power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation

and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high

frequency switching power supplies; free wheeling diodes and

polarity protection diodes.

http://onsemi.com

SCHOTTKY BARRIER

RECTIFIER

• Compact Package with J−Bend Leads Ideal for Automated Handling

• Highly Stable Oxide Passivated Junction

• Guardring for Over−Voltage Protection

1 AMPERE

20 VOLTS

• Optimized for Low Leakage Current

Mechanical Characteristics:

MARKING

DIAGRAM

• Case: Molded Epoxy

• Epoxy Meets UL94, V at 1/8″

• Weight: 70 mg (approximately)

• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal

Leads are Readily Solderable

B1E2

SMA

CASE 403D

PLASTIC

B1E2 = Device Code

• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:

260°C Max. for 10 Seconds

• Polarity: Polarity Band Indicates Cathode Lead

• Available in 12 mm Tape, 5000 Units per 13 inch Reel

• Device Meets MSL1 Requirements

ORDERING INFORMATION

• ESD Ratings: Machine Model, C (>400 V)

Human Body Model, 3B (>8000 V)

• Marking: B1E2

†

Device

Package

Shipping

MBRA120ET3

SMA

5000/Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RRM

RWM

Average Rectified Forward Current

1.0

(At Rated V , T = 125°C)

Non−Repetitive Peak Surge Current

(Surge Applied at Rated Load Conditions

Halfwave, Single Phase, 60 Hz)

FSM

Storage Temperature

−55 to +150

10,000

°C

stg

Operating Junction Temperature

Voltage Rate of Change

dv/dt

V/ms

(Rated V , T = 25°C)

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

December, 2003 − Rev. 2

MBRA120ET3/D

12 3 4

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MBRA120ET3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBRA120ET3	ONSEMI	类似代替	Surface Mount Schottky Power Rectifier 1 AMPERE 20 VOLTS
B120B-13-F	DIODES	功能相似	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SS12	FAIRCHILD	功能相似	1.0 Ampere Schottky Barrier Rectifiers

与MBRA120ET3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBRA120LT3	ONSEMI	获取价格	Surface Mount Schottky Power Rectifier
MBRA120T3	FORMOSA	获取价格	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
MBRA120T3	TAYCHIPST	获取价格	CHIP SCHOTTKY BARRIER DIODES
MBRA120TR	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
MBRA120TR_02	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
MBRA120TR-15000PIECES	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
MBRA120TRPBF	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.0 A
MBRA120TRPBF	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER 1.0 Amp
MBRA120TRPBF_10	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.0 A
MBRA130	SEMTECH	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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