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MBRA130LT3

更新时间： 2024-11-17 22:36:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 138K
描述
Surface Mount Schottky Power Rectifier

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MBRA130LT3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-J2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.32Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-J2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MBRA130LT3 数据手册

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by MBRA130LT3/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
SMA Power Surface Mount Package  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a metal–to–silicon power  
rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal  
overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power  
supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes.  
1 AMPERES  
30 VOLTS  
•
•
•
•
Compact Package with J–Bend Leads Ideal for Automated Handling  
Highly Stable Oxide Passivated Junction  
Guardring for Over–Voltage Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Mechanical Characteristics:  
•
•
•
•
Case: Molded Epoxy  
Epoxy Meets UL94, V at 1/8″  
O
Weight: 70 mg (approximately)  
CASE 403B-01  
SMA  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are  
Readily Solderable  
•
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
•
•
•
Polarity: Notch in Plastic Body Indicates Cathode Lead  
Available in 12 mm Tape, 5000 Units per 13 inch Reel, Add “T3” Suffix to Part Number  
Marking: B3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
30  
V
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current  
I
1.0  
2.0  
25  
A
A
A
O
(At Rated V , T = 105°C)  
R
C
Peak Repetitive Forward Current  
I
FRM  
(At Rated V , Square Wave, 100 kHz, T = 105°C)  
R
C
Non-Repetitive Peak Surge Current  
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)  
I
FSM  
Storage/Operating Case Temperature  
T
T
–55 to +150  
–55 to +125  
10,000  
°C  
°C  
stg,  
C
Operating Junction Temperature  
T
J
Voltage Rate of Change (Rated V , T = 25°C)  
dv/dt  
V/µs  
R
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction–to–Lead (2)  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient (2)  
R
35  
86  
°C/W  
tjl  
R
tja  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1), see Figure 2  
V
F
V
T = 25°C T = 100°C  
J
J
(I = 1.0 A)  
F
0.41  
0.47  
0.35  
0.43  
(I = 2.0 A)  
F
Maximum Instantaneous Reverse Current, see Figure 4  
I
R
mA  
T = 25°C T = 100°C  
J
J
(V = 30 V)  
R
1.0  
0.4  
25  
12  
(V = 15 V)  
R
This document contains advance information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.  
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 250 µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
(2) Mounted with minimum recommended pad size (2 mm * 2 mm), PC Board FR4, see Figure 8.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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