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MBR845F PDF预览

MBR845F

更新时间： 2024-01-16 05:35:03
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2页 91K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR845F 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-201AD包装说明：PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：R-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED最大非重复峰值正向电流：140 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：COMMERCIAL最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR845F 数据手册

 浏览型号MBR845F的Datasheet PDF文件第2页 
MBR840F~MBR8200F  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
8 Amperes  
CURRENT  
VOLTAGE  
40 to 200 Volts  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: ITO-220AC plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR840F MBR845F MBR850F MBR860F MBR880F MBR890F MBR8100F MBR8150F MBR8200F  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
8
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (See Figure 1)  
VDC  
100  
V
IF(AV)  
A
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
150  
Maximum Forward Voltage at 8.0A  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current TJ=25O  
C
0.05  
20  
IR  
mA  
O C / W  
O C  
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100O  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
3
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
STAD-APR.30.2009  
PAGE . 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR845FCT PANJIT

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