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MBR60045CT PDF预览

MBR60045CT

更新时间： 2024-01-03 04:38:46
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 722K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR60045CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流：4000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：300 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR60045CT 数据手册

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MBR60045CT thru MBR600100CTR  
VRRM = 45 V - 100 V  
IF(AV) = 600 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 45 V to 100 V VRRM  
Twin Tower Package  
• Not ESD Sensitive  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBR60080CT(R) MBR600100CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR60045CT(R) MBR60060CT(R)  
Unit  
Repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
80  
100  
45  
60  
V
VRMS  
VDC  
Tj  
57  
70  
RMS reverse voltage  
DC blocking voltage  
Operating temperature  
Storage temperature  
32  
42  
V
V
80  
100  
45  
60  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBR60080CT(R) MBR600100CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR60045CT(R) MBR60060CT(R)  
Unit  
A
Average forward current  
(per pkg)  
TC = 125 °C  
IF(AV)  
600  
4000  
0.84  
600  
4000  
0.84  
600  
600  
Peak forward surge  
current (per leg)  
IF,SM tp = 8.3 ms, half sine  
4000  
4000  
A
Maximum forward  
voltage (per leg)  
VF  
IR  
IF = 300 A, Tj = 25 °C  
V
0.75  
0.80  
Tj = 25 °C  
Tj = 100 °C  
Tj = 150 °C  
1
1
1
1
Reverse current at rated  
DC blocking voltage  
(per leg)  
10  
50  
10  
50  
mA  
10  
50  
10  
50  
Thermal characteristics  
Thermal resistance,  
junction-case, per leg  
RΘJC  
0.28  
0.28  
0.28  
0.28  
°C/W  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/mbr60045ct.pdf  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR60045CT(R) TRSYS

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 		SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 600A
MBR60045CT_V01 GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBR60045CTL GENESIC

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 		High Surge Capability
MBR60045CTR TRSYS

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MBR60045CTR AMERICASEMI

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