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MBR60100PT

更新时间： 2024-02-04 08:58:40
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3页 126K
描述
Power Schottky Rectifier - 60Amp 100Volt

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MBR60100PT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：280 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR60100PT 数据手册

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E L E C T R O N I C  
MBR60100PT  
Power Schottky Rectifier - 60Amp 100Volt  
□ Features  
-Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classifications  
94V-0  
-High Junction Temperature Capability  
-Low forward voltage, high current capability  
-High surge capacity  
TO-3P  
E
D
C
L
-Low power loss, high efficiency  
O
-ESD performance human body mode > 8 KV  
F
I
P
□ Application  
-AC/DC Switching Adaptor and other Switching Power Supply  
-SMPS  
B
Q
□ Absolute maximum ratings  
G
H
R
Symbol  
IF(AV)  
Ratings  
60  
Unit  
A
Conditions  
Average Forward Current  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
A
M
J
100  
V
VRRM  
N
K
K
A1  
500  
A
V
Peak Forward Surge Current  
Forward Voltage Drop  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
IFSM  
VF(max)  
Tj  
K
A2  
0.69  
-50 to +175  
-50 to +150  
ºC  
ºC  
DIMENSIONS  
Tstg  
INCHES  
MM  
DIM  
NOTE  
MIN  
MAX  
.783  
.827  
.386  
.535  
.628  
.276  
.085  
.126  
.551  
.047  
.220  
.195  
.035  
.059  
.065  
.197  
.140  
.130  
MIN  
18.90 19.90  
20.00 21.00  
MAX  
A
B
C
D
E
F
.744  
.787  
.346  
.512  
.602  
.256  
.077  
.098  
.528  
.035  
.205  
.183  
.022  
.053  
.055  
.165  
.128  
.114  
□ Electrical characteristics  
8.80  
9.80  
13.00 13.60  
15.30 15.95  
Parameters  
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage  
Symbol  
VF  
Ratings  
0.85V  
Conditions  
Tc = 25ºC  
Tc = 125ºC  
Tc = 25ºC  
Tc = 125ºC  
6.50  
1.95  
2.50  
7.00  
2.15  
3.20  
G
H
I
0.69V  
13.40 14.00  
Maximum Reverse Leakage  
Current  
0.01mA  
10mA  
J
0.90  
5.20  
4.65  
0.55  
1.35  
1.40  
4.20  
3.25  
2.90  
1.20  
5.60  
4.95  
0.90  
1.50  
1.65  
5.00  
3.55  
3.30  
IR  
K
L
Maximum Voltage Rate of  
Change  
M
N
O
P
Q
R
10,000 V/μs  
1.1 ºC/W  
dv/dt  
Rθ (j-c)  
Rated VR  
Per diode  
Typical Thermal Resistance,  
Junction to Case  
August 2008 / Rev.6.1  
1
http:// www.sirectsemi.com  
123

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 		Bulk : 360pcs/Box, 1.8K/Ctn;

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