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MBR60045CTR

更新时间： 2024-01-06 23:43:19

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GENESIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	446K
描述
High Surge Capability

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MBR60045CTR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-XUFM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	4000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	300 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	1000 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

MBR60045CTR 数据手册

MBR60040CT(R)L

V_RRM= 40 V

I_F(AV)= 600 A

Low V_FSilicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Type 40 V V_RRM

• Not ESD Sensitive

Twin Tower Package

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Symbol

Conditions

Parameter

MBR60040CT(R)L Unit

V_RRM

V_RMS

V_DC

T_j

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Operating temperature

-55 to 150

°C

T_stg

Storage temperature

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Symbol

Conditions

Parameter

MBR60040CT(R)L Unit

I_F(AV)

I_FSM

T_C= 100 °C

Average forward current (per pkg)

Peak forward surge current (per leg)

600

t_p= 8.3 ms, half sine

4000

Maximum instantaneous forward voltage (per

leg)

V_F

_FM= 300 A, Tj = 25 °C

0.60

Maximum instantaneous reverse

current at rated DC blocking voltage

(per leg)

T_j= 25 °C

I_R

T_j= 100 °C

350

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance,

junction - case (per leg)

R_ΘJC

0.28

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/

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