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MBR3035CT-1TRR

更新时间： 2024-01-15 21:20:09
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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MBR3035CT-1TRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：1020 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

MBR3035CT-1TRR 数据手册

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MBRB30..CT/MBR30..CT-1  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
MBR30..CT-1  
MBRB30..CT  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Designed and qualified for Q101 level  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
DESCRIPTION  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C junction  
temperature. Typical applications are in switching power  
supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse  
battery protection.  
D2PAK  
TO-262  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
35/45 V  
VR  
IRM  
100 mA at 125 °C  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 123 °C (per leg)  
VALUES  
30  
UNITS  
A
30  
VRRM  
IFSM  
35/45  
1020  
V
A
tp = 5 µs sine  
20 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.6  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
MBRB3035CT  
MBR3035CT-1  
MBRB3045CT  
MBR3045CT-1  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
per leg  
15  
30  
30  
Maximum average  
forward current  
IF(AV)  
TC = 123 °C, rated VR  
per device  
Peak repetitive forward current per leg  
IFRM  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 123 °C  
Following any rated load condition  
and with rated VRRM applied  
A
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
1020  
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
200  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 5 mH  
10  
2
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Document Number: 93980  
Revision: 21-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与MBR3035CT-1TRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR3035CT-1TRRP VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
MBR3035CT-1TRRPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
MBR3035CTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR3035CT-HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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