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MBR3035PT PDF预览

MBR3035PT

更新时间： 2024-01-21 10:40:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 38K
描述
30 Ampere Schottky Barrier Rectifiers

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MBR3035PT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR3035PT 数据手册

 浏览型号MBR3035PT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR3035PT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR3035PT - MBR3060PT  
0.203(5.16)  
0.193(4.90)  
Features  
0.645(16.4)  
0.625(15.9)  
0.245(6.2)  
0.078(1.98)  
10°  
• Low power loss, high efficiency.  
• High surge capacity.  
0.323(8.2)  
0.313(7.9)  
0.225(5.7)  
30°  
• For use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling, and polarity  
protection applications.  
.17(4.3)  
10° TYP  
TO-3P/  
TO-247AD  
0.84(21.3)  
0.82(20.8)  
BOTH SIDES  
0.134(3.4)  
0.114(2.9)  
• Metal silicon junction, majority carrier  
conduction.  
0.118(3.0)  
0.108(2.7)  
2
3
1
0.086(2.18)  
0.076(1.93)  
• High current capacity, low forward  
voltage drop.  
0.16(4.1)  
0.14(3.5)  
0.795(20.2)  
0.775(19.7)  
PIN 1  
PIN 3  
0.127(3.22)  
+
0.117(2.97)  
CASE  
PIN 2  
• Guard ring for over voltage protection.  
0.048(1.22)  
0.044(1.12)  
0.030(0.76)  
0.020(0.51)  
0.225(5.7)  
0.205(5.2)  
30 Ampere Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions are in: inches (mm)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
30  
A
Peak Repetitive Forward Current  
if(repetitive)  
30  
A
A
(Rated V , Square Wave, 20 KHz) @ T = 130 C  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
°
R
A
if(surge)  
200  
PD  
3.0  
25  
W
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Lead  
1.4  
Rθ  
C/W  
°
JL  
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
-65 to +150  
C
C
Tstg  
TJ  
°
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
3035PT  
35  
3045PT  
45  
3050PT  
50  
3060PT  
60  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
24  
31  
35  
42  
35  
45  
50  
60  
V
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
10,000  
V/uS  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
1.0  
60  
5.0  
100  
mA  
mA  
@ rated VR  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
Maximum Forward Voltage  
-
0.75  
0.65  
-
-
V
V
V
V
IF = 20 A, TC = 25°C  
0.60  
0.76  
0.72  
I
I
I
F = 20 A, TC = 125°C  
F = 30 A, TC = 25°C  
F = 30 A, TC = 125°C  
Peak Repetitive Reverse Surge  
Current  
1.0  
0.5  
A
2.0 us Pulsu Width, f = 1.0 KHz  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
MBR3035PT - MBR3060PT, Rev. A  
123

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MBR3035PT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR3045PT-E3/45 VISHAY

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 DIODE 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PI
MBR3035PT-E3/45 VISHAY

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