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MBR3045PT-E3/45

更新时间： 2024-01-06 08:04:18
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
DIODE 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode

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MBR3045PT-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

MBR3045PT-E3/45 数据手册

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MBR3035PT thru MBR3060PT  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106  
3
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
1
TO-247AD (TO-3P)  
TYPICAL APPLICATIONS  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 3  
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC  
converters or polarity protection application.  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-247AD (TO-3P)  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
30 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
35 V, 60 V  
200 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF  
0.60 V, 0.65 V  
150 °C  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL MBR3035PT MBR3045PT MBR3050PT MBR3060PT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
V
V
A
Maximum average forward rectified current (Fig.1)  
IF(AV)  
30  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
200  
A
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2 µs, 1 kHz  
per diode  
(1)  
IRRM  
2.0  
1.0  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
- 65 to + 150  
- 65 to + 175  
TSTG  
°C  
Note  
(1)  
2.0 μs pulse width, f = 1.0 kHz  
Revision: 20-Nov-12  
Document Number: 88676  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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MBR3045PT-E3/45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR3035PT-E3/45 VISHAY

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 DIODE 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PI
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