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MBR3045ST PDF预览

MBR3045ST

更新时间： 2024-11-02 11:11:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关
页数 文件大小 规格书
5页 96K
描述
SWITCHMODE? Power Rectifier

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MBR3045ST 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.07应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30

MBR3045ST 数据手册

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MBR3045ST,  
MBRB3045CT-1  
SWITCHMODE™  
Power Rectifier  
Features and Benefits  
• Dual Diode Construction — Terminals 1 and 3 May Be Connected  
for Parallel Operation at Full Rating  
• 45 V Blocking Voltage  
http://onsemi.com  
• Low Forward Voltage Drop  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Pb−Free Packages are Available  
Applications  
30 AMPERES  
45 VOLTS  
• Power Supply − Output Rectification  
• Power Management  
• Instrumentation  
Mechanical Characteristics  
3
2, 4  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight (Approximately): 1.9 Grams (TO−220AB)  
1.5 Grams (TO−262)  
1
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
4
260°C Max. for 10 Seconds  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
MAXIMUM RATINGS  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 6  
AYWW  
B3045G  
AKA  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
45  
V
RRM  
RWM  
1
R
2
3
Average Rectified Current  
(T = 130°C)  
Per Device  
Per Diode  
I
30  
15  
A
A
A
F(AV)  
4
C
Peak Repetitive Forward Current, per Diode  
I
30  
FRM  
AYWW  
B3045CTG  
AKA  
2
I PAK (TO−262)  
CASE 418D  
PLASTIC  
(Square Wave, V = 45 V, 20 kHz)  
R
Non−Repetitive Peak Surge Current (Surge  
Applied at Rated Load Conditions,  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
150  
FSM  
Peak Repetitive Reverse Current, per Diode  
(2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
2.0  
A
°C  
RRM  
1
2
3
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Storage Temperature Range  
T
−65 to  
stg  
WW  
AKA  
G
= Work Week  
= Polarity Designator  
= Pb−Free Device  
+175  
Operating Junction Temperature (Note 1)  
T
J
−65 to  
°C  
+175  
Peak Surge Junction Temperature  
(Forward Current Applied)  
T
J(pk)  
175  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
10,000  
V/ms  
R
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: dP /dT < 1/R .  
q
JA  
D
J
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 8  
MBR3045ST/D  
 
12345

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MBR3045ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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